

深部線圈
深部經顱磁H線圈是利用感應電場矢量疊加的原理,采用特殊頭盔式結構設計使刺激線圈靶點定向與頭皮相切,讓不相切的線圈元素盡量減少,從而加強在深部靶組織中的感應電場,同時減少在非靶組織中的剌激強度。
線圈材質是導電多股漆包線保證線圈可以盡量貼合頭皮,底座部分導線呈一定的間隔分布,減少了對淺層皮質的剌激強度,當線圈放電時,不同位置的導線在深部產生感應電場相互疊加,形成更深、更寬的完整感應電場,達到深部剌激的目的。
H7線圈
內側前額葉皮層(包括前扣帶皮層)
2018年,FDA批準英智科技的深部經顱磁刺激系統(H7線圈:DEN170078)用于治療強迫癥。此外,H7線圈也可用于偏頭痛、眼瞼痙攣、慢性疼痛、可卡因成癮、Tourette綜合癥等疾病的治療。

H1線圈
雙側前額葉皮質(偏向左側)
2013年,FDA批準英智科技的深部經顱磁刺激系統(H1線圈:K122288)用于治療重度抑郁癥。2021年,FDA擴大其適用領域,批準H1線圈用于治療焦慮抑郁癥。此外,H1線圈也可用于創傷后應激障礙、雙向情感障礙、精神分裂等疾病的治療。

H4線圈
雙側島葉和前額葉皮層
2020年,FDA批準英智科技的深部經顱磁刺激系統(H4線圈:K200957)用于成年人戒除煙癮。此外,H4線圈也可用于酒精成癮、毒品成癮、網癮等疾病的治療。
H線圈的優勢
更大的刺激面積
與其它商業線圈相比,H線圈產生的磁場覆蓋范圍更廣。
更深的刺激強度
刺激深度6-8cm,可有效刺激大腦深部核團 。
豐富的線圈與結構形態
結構多樣,可以根據不同的刺激區域,改變不同的結構形態特征 。
更強的抗外界干擾
底座設計可減弱靜電場對脈沖磁場的影響。
磁場衰減的更慢
采用磁場矢量疊加設計,磁場衰減比其它類型的商業線圈衰減的更慢。
持久的刺激持續時間
采用高效率冷空氣降溫技術,可保證長時間持續刺激治療。